[发明专利]半导体装置及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201811302650.6 申请日: 2018-11-02
公开(公告)号: CN109768787B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 酒井伸次 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于提供能够抑制半导体装置的尺寸及成本的技术。半导体装置具有:IGBT模块(11),其包含IGBT(12);以及MOSFET模块(21),其包含动作特性与IGBT(12)不同的MOSFET(22),MOSFET模块(21)与IGBT模块(11)并联连接。半导体装置能够选择性地执行将IGBT模块(11)的通断的定时和MOSFET模块(21)的通断的定时错开的动作模式。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 驱动 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其具有:第1功率半导体模块,其包含第1功率半导体开关元件;以及第2功率半导体模块,其包含动作特性与所述第1功率半导体开关元件不同的第2功率半导体开关元件,该第2功率半导体模块与所述第1功率半导体模块并联连接,能够选择性地执行将所述第1功率半导体模块的通断的定时和所述第2功率半导体模块的通断的定时错开的动作模式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811302650.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top