[发明专利]半导体装置及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201811302650.6 申请日: 2018-11-02
公开(公告)号: CN109768787B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 酒井伸次 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具有:

第1功率半导体模块,其包含第1功率半导体开关元件;以及

第2功率半导体模块,其包含动作特性与所述第1功率半导体开关元件不同的第2功率半导体开关元件,该第2功率半导体模块与所述第1功率半导体模块并联连接,

能够选择性地执行相对于所述第1功率半导体模块的通断的定时而变更所述第2功率半导体模块的通断的定时的动作模式。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第2功率半导体模块还包含输入引脚,向该输入引脚输入用于执行所述动作模式的信号。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第1功率半导体模块及所述第2功率半导体模块与来自控制电路的信号相应地选择性地执行所述动作模式,该控制电路对所述第1功率半导体模块及所述第2功率半导体模块进行控制。

4.一种半导体装置,其具有:

第1功率半导体模块,其包含第1功率半导体开关元件;以及

第2功率半导体模块,其包含动作特性与所述第1功率半导体开关元件不同的第2功率半导体开关元件,该第2功率半导体模块与所述第1功率半导体模块并联连接,

能够选择性地执行将所述第1功率半导体模块的通断的定时和所述第2功率半导体模块的通断的定时错开的动作模式,

就封装件尺寸或额定电流而言,所述第1功率半导体模块大于所述第2功率半导体模块,

不存在与所述第2功率半导体模块接触的散热鳍片。

5.一种半导体装置,其具有:

第1功率半导体模块,其包含第1功率半导体开关元件;以及

第2功率半导体模块,其包含动作特性与所述第1功率半导体开关元件不同的第2功率半导体开关元件,该第2功率半导体模块与所述第1功率半导体模块并联连接,

能够选择性地执行将所述第1功率半导体模块的通断的定时和所述第2功率半导体模块的通断的定时错开的动作模式,

还具有基板,

所述第2功率半导体模块平面安装于所述基板,

所述第1功率半导体模块以在所述第1功率半导体模块与所述第2功率半导体模块之间夹着所述基板的方式安装于所述基板。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其中,

在所述半导体装置发生短路的情况下,依次进行所述第2功率半导体模块的输出断开和所述第1功率半导体模块的输出断开。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其中,

在执行了所述动作模式的情况下,在所述第1功率半导体模块接通之后所述第2功率半导体模块接通,在所述第2功率半导体模块断开之后所述第1功率半导体模块断开。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其中,

所述第2功率半导体模块包含宽带隙半导体。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其中,

所述第1功率半导体开关元件为IGBT或RC-IGBT,

所述第2功率半导体开关元件为MOSFET。

10.一种半导体装置的驱动方法,所述半导体装置具有:

第1功率半导体模块,其包含第1功率半导体开关元件;以及

第2功率半导体模块,其包含动作特性与所述第1功率半导体开关元件不同的第2功率半导体开关元件,该第2功率半导体模块与所述第1功率半导体模块并联连接,

所述驱动方法能够选择性地执行相对于所述第1功率半导体模块的通断的定时而变更所述第2功率半导体模块的通断的定时的动作模式。

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