[发明专利]电源对地ESD保护单元及双电源宽带线性稳压器保护结构有效

专利信息
申请号: 201811291257.1 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109375698B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 季轻舟 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: G05F1/569 分类号: G05F1/569
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种电源对地ESD保护单元及双电源宽带线性稳压器保护结构,利用双极晶体管BE结、RC延迟、达林顿NPN晶体管的特点,构建了一种电源对地的静电保护单元,采用该静电保护单元及双极晶体管BE特性,构建了双电源宽带双极线性稳压器全芯片静电保护网络。在芯片正常状态时,确保IO端口相互隔离,最大程度建立全芯片静电泄放通路,提升双电源双极线性稳压器的全芯片抗静电能力,该抗静电保护网络可推广至其它双极、BCD工艺的模拟电路。
搜索关键词: 电源 esd 保护 单元 双电源 宽带 线性 稳压器 结构
【主权项】:
1.一种电源对地ESD保护单元,其特征在于,包括晶体管Qn1,晶体管Qn1的集电极和发射极用于连接控制电路输入电源VIN1或功率晶体管输入电源VIN2,基极接晶体管Qn2的发射极;晶体管Qn2的集电极用于连接控制电路输入电源VIN1或功率晶体管输入电源VIN2,基极与电阻R1一端及晶体管Qn3的基极相接,发射极接晶体管Qn1的基极;电阻R1另一端接地;晶体管Qn3的集电极用于连接控制电路输入电源VIN1或功率晶体管输入电源VIN2,发射极与电阻R2一端及晶体管Qn4的基级连接;电阻R2另一端接地;晶体管Qn4集电极用于连接控制电路输入电源VIN1或功率晶体管输入电源VIN2,发射极接地;电容C1一端用于连接控制电路输入电源VIN1或功率晶体管输入电源VIN2,另一端与晶体管Qn3基极连接;二极管D1负向端用于连接控制电路输入电源VIN1或功率晶体管输入电源VIN2,正向端接地。
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  • 一种具有反接保护的电压调整电路,包括启动电路、自偏置电路和电压调整主体电路;所述电压调整主体电路由二极管D0、误差放大器I0、P型场效应管MP0、N型场效应管MN5、一个电流源和同类型比例电阻R1、R2组成,所述二极管D0的阳极连接于芯片供电端口VDD,阴极连接P型场效应管MP0的源极,所述误差放大器I0反相输入端连接于所述自偏置电路中的P型场效应管MP2和N型场效应管MN3之间,同相输入端连接于电阻R1、R2之间,输出端连接P型场效应管MP0的栅极,本发明将二极管集成在芯片内部,实现了电源反接保护,同时本发明采用了自偏置结构的参考电压产生电路,与带隙基准电路相比,节省了芯片面积,具有较高的性价比。
  • 具有过充保护功能的低压差线性稳压器电路-202020633106.6
  • 张侨;陆建华 - 上海安其威微电子科技有限公司
  • 2020-04-24 - 2021-04-30 - G05F1/569
  • 本实用新型公开了一种具有过充保护功能的低压差线性稳压器电路,属于集成电路设计技术领域。低压差线性稳压器电路包括稳压电路和过充保护电路;过充保护电路包括RC电路、第一电阻、第一开关和第二电阻;RC电路的第一端口与稳压电路的输出端口相连,RC电路的第二端口与第一开关的第一端口相连,RC电路的第三端口接地;第一电阻的第一端口与稳压电路的输出端口相连,第一电阻的第二端口与第一开关的第二端口相连;第二电阻的第一端口与第一开关的第三端口相连,第二电阻的第二端口接地;稳压电路中输出端口的电压小于稳压电路中负载的击穿电压。本实用新型能降低上电时稳压电路的输出端口输出的电压,从而保护稳压电路上挂的负载。
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