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[实用新型]一种隔离型高精度传感器电压变送器电路-CN202123373918.5有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H02M3/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及传感器电压变送器电路领域，具体涉及一种隔离型高精度传感器电压变送器电路，包括电源输入模块、隔离模块、基准电压模块、信号调理模块和输出接口，本实用新型的一种隔离型高精度传感器电压变送器电路，旨在解决传统变送器抗电磁干扰能力弱、输出精度低的问题以及对电源输入接口进行了优化处理，使其具有防反接、防浪涌、宽电压输入的功能，本实用新型的一种隔离型高精度传感器电压变送器电路具有以下优点：对基准电压进行多级跟随器处理，输出稳定的基准电压，实现基准电压宽范围可调；对电源输入模块进行了优化，具有防浪涌、防反接、宽电压输入的功能；电源与信号处理模块进行隔离，提高了变送器的精度和抗干扰能力。
一种隔离高精度传感器电压变送器电路

[实用新型]基于电源CMOS芯片的快速电压识别电路-CN202123282281.9有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于电源CMOS芯片的快速电压识别电路，包含：电阻分压网络电路，电阻分压网络电路与输入端、电源端相连；反馈电路，反馈电路与电阻分压网络电路、输入端以及电源端相连；施密特触发器电路，施密特触发器电路与电阻分压网络电路、反馈电路以及电源端相连；反相器电路，反相器电路与施密特触发器电路、反馈电路以及输出端相连，用于对输出信号整形。本实用新型由电阻分压网络、施密特触发器、反相器组成CMOS芯片的电压判别电路具有版图小、成本低、响应速度块等优点，并且也具有快速自动识别功能，最快速度能达到1GHz识别速度。
基于电源 cmos 芯片快速电压识别电路

[实用新型]一种基于CMOS求和比较器电路-CN202123320272.4有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种基于CMOS求和比较器电路，包括第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路，第一级放大电路包括PMOS管M14、PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M5、NMOS管M6、线性电阻R1和线性电阻R2，第二级放大电路包括运算放大器I1，第三级放大电路包括NMOS管M7。整体电路结构简单，省略了误差放大器，从而提高了输出信号的速度和精度，减小了芯片的面积，降低了制作成本，有利于系统集成。
一种基于 cmos 求和比较电路

[实用新型]高精度快速响应型电流放大器电路-CN202123326724.X有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高精度快速响应型电流放大器电路，包含：基础电路、反馈电路与叠加器电路；基础电路与电源相连，基础电路接地；反馈电路与基础电路相连，反馈电路与外部的电流源Ii、电流源Iou相连，反馈电路与电源相连；叠加器电路与基础电路、反馈电路相连，叠加器电路连接电源并接地。本实用新型通过基础电路、反馈电路与叠加器电路相配合，实现了电流放大器功能，更加稳定可靠，具备很强的实用性。
高精度快速响应电流放大器电路

[实用新型]一种基于CMOS新型稳定型欠压锁存电路-CN202123336278.0有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本实用新型涉及欠压锁存电路领域，具体涉及一种基于CMOS新型稳定型欠压锁存电路，包括偏置电路、先导控制电路、充电回路和整形滤波电路，通过设计了一种低功耗的欠压锁存电路，并在CSMC 0.5m CMOS工艺库下使用Cadence Spectre进行了仿真验证，结果表明满足设计要求，具有功耗低，响应速度快等优点，并且电路结构简单，可以做成IP核，易于移植到其他的开关电源控制芯片中去。
一种基于 cmos 新型稳定型欠压锁存电路

[实用新型]一种CMOS快速响应的过温保护电路-CN202123336297.3有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及过温保护电路领域，具体涉及一种CMOS快速响应的过温保护电路，包括基准源Vbias、比较器I0、恒流源I1、M0、M1、M3、M4、M5、M6和M7，其中M1、M4为NMOS管，M0、M3、M5、M6、M7为PMOS管，本实用新型基于CMOS工艺库设计了一种低功耗、高精度的过温保护电路，利用MOS管的温度特性对芯片系统的工作温度进行采样，通过电压比较器对采样温度电压与系统预设电压进行比较，当采样温度高于系统设定的阈值温度时，过温保护电路输出低电平进而关断芯片系统，防止由于高温对芯片造成不可逆转的损坏，传统电路采用电阻式的过温保护电路电压精度误差大约是±30％，精度差，本专利采用线性MOS快速响应的过温保护电路电压精度误差±2％以内。
一种 cmos 快速响应保护电路

[实用新型]一种锯齿波时钟发生器电路-CN202123360571.0有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种锯齿波时钟发生器电路，包括比较器I1、电阻R0、电阻R1、电阻R2、NMOS管M0、NMOS管M1、NMOS管M3、NMOS管M16、NMOS管M18、NMOS管M21、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13、PMOS管M14、PMOS管M15、PMOS管M17、PMOS管M19、PMOS管M20。通过设置了比较器为核心电路，并基于CMOS工艺，可以得到较好线性度的锯齿波信号，同时其信号振荡频率随电源电压的变化和温度的变化很小,功耗小，性能良好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。
一种锯齿时钟发生器电路

[实用新型]随负载变化自动调整的CMOS电路-CN202123215853.1有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种随负载变化自动调整的CMOS电路，包含：第一恒流源，用于提供恒定的电流；偏置电路，偏置电路与第一恒流源、外部的VDD输入端相连，用于提供偏置电压；电流镜，电流镜与偏置电路、VDD输入端相连；电压匹配电路，电压匹配电路与电流镜相连；放大电路，放大电路与偏置电路、电流镜以及电压匹配电路相连；滤波电路，滤波电路与电流镜、电压匹配电路以及放大电路相连。本实用新型单独浮动设置基准电压的元件的地，将负载与静态电流隔离可以移走这个失调电压，同时构成了一个同相反馈路径。正反馈环路的反馈增益比它的负反馈增益小得多，所以它对系统调整性能的影响通常是可控的。
负载变化自动调整 cmos 电路

[实用新型]基于CMOS芯片的过温保护电路-CN202123215852.7有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于CMOS芯片的过温保护电路，包含：启动电路，启动电路接外部的输入信号Vref、外部的VDD输入端，用于输出启动电流；偏置电流产生电路，偏置电流产生电路与启动电路相连，用于产生偏置电流；温度检测电路，温度检测电路与启动电路和偏置电流产生电路、VDD输入端相连；电压比较电路，电压比较电路与温度检测电路、偏置电流产生电路、VDD输入端相连。本实用新型具有低功耗，精度高的优点，利用偏置电路对芯片系统的工作温度进行采样，通过电压比较电路对采样温度电压与系统设定的阈值温度时，过温保护电路输出低电平进而关断芯片系统，防止由于高温对芯片造成不可逆转的损坏。
基于 cmos 芯片保护电路

[实用新型]基于CMOS快速响应型欠压保护电路-CN202123215835.3有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G05F1/569 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于CMOS快速响应型欠压保护电路，包含：偏置电路，偏置电路与外部的Vref输入端、外部的VDD输入端相连，用于提供偏置电流；启动电路，启动电路与偏置电路、VDD输入端相连；欠压保护电路，欠压保护电路与偏置电路、启动电路以及VDD输入端相连。本实用新型欠压电路采用电流比较的思想，电路中不使用电压比较器，与传统电压比较器型欠压电路相比，稳定性更好。
基于 cmos 快速响应型欠压保护电路

[实用新型]14bit逐次比较型ADC采样保持电路-CN202123373865.7有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种14bit逐次比较型ADC采样保持电路，包含：栅漏电容阵列模块与互补传输门模块；互补传输门模块与电源VDD相连并接地，互补传输门模块连接外部的输入端K，互补传输门模块通过信号输出端OUT与外部的后续电路相连；栅漏电容阵列模块通过信号输入端IN与互补传输门模块相连。本实用新型解决了现有技术中存在的电路面积大、传输效率低的缺陷，可双向传输，具有电路面积小、信号传输效率高的特点。
14 bit 逐次比较 adc 采样保持电路

[实用新型]超高精度14bit的SAR架构ADC芯片电路-CN202123373995.0有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超高精度14bit的SAR架构ADC芯片电路，包含：数据采集电路，数据采集电路接入CLK信号、模拟信号相连，用于进行信号采集；高速比较器，高速比较器的正向输入端与数据采集电路的输出端相连；数模转换电路，数模转换电路与高速比较器的输出端相连，数模转换电路接入CLK信号；移位寄存器，移位寄存器的输入端与数模转换电路相连，移位寄存器的输出端与高速比较器的反向输入端相连；时钟电路，时钟电路接入CLK信号、swclk信号。本实用新型采用14bit的SAR架构，可进行高速模拟信号采集和信号处理使用，满足汽车行业传感器的特殊要求，并且性能稳定可靠。
超高精度 14 bit sar 架构 adc 芯片电路

[实用新型]14bit逐次比较型ADC高速比较器电路-CN202123374003.6有效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种14bit逐次比较型ADC高速比较器电路，包含：时钟电路，时钟电路接入CLK信号，输出一个与CLK信号相位相反的CLK_N信号；前置放大电路，前置放大电路与时钟电路的输出端相连并接入CLK信号；数据锁存器电路，数据锁存器电路接入CLK信号；数据缓冲器电路，数据缓冲器电路与数据锁存器电路相连，用于对信号进行数据缓冲、整形及隔离。本实用新型采用了高速数字电路设计，为后续升级打下良好的基础，因为数字比较器具有很好的高频处理能力。
14 bit 逐次比较 adc 高速电路

[发明专利]低功耗CMOS超宽温度范围瞬态增强型LDO电路-CN202111619211.X在审
发明人： 何孝起 -专利权人：上海兴赛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗CMOS超宽温度范围瞬态增强型LDO电路，包含：恒压源，恒压源的输入端与第一信号输入端相连；第一运算放大器，第一运算放大器的反向输入端与恒压源的输出端相连，第一运算放大器与第一信号输入端相连；镜像电路，镜像电路与第二信号输入端、电源端、第一运算放大器相连；补偿电路，补偿电路与镜像电路、电源端相连相连；超级源极跟随器电路，超级源极跟随器电路与补偿电路、电源端相连；运放尾电流电路，运放尾电流电路与超级源极跟随器电路、电源端、信号输出端相连。本发明通过插入超级源级跟随器可将大的寄生电容和较高的输出阻抗隔离，扩展了ＬＤＯ的环路频宽；增加了运放的摆率，提高了ＬＤＯ的瞬态性能。
功耗 cmos 温度范围瞬态增强 ldo 电路

[实用新型]一种CPU驱动电路-CN201020193226.5无效
发明人： 何孝起 -专利权人：上海伊文数据处理有限公司
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： B43M5/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种CPU驱动电路，包括信号比较放大控制电路，信号比较放大控制电路分别连接激励驱动电路及信号反馈电路，激励驱动电路连接光电耦合电路及控制电路，其特征在于，还包括至少三路级联的达林顿管驱动电路，每路达林顿管驱动电路分别连接激励驱动电路、控制电路及信号反馈电路，每路达林顿管驱动电路分别连接一路稳压电路。本实用新型在原有电路的基础上增加至少一路驱动电路及其稳压电路，提高了原有电路驱动能力不足的弊端，从而解决了德国博威T22高速套封机的驱动板卡频繁损坏的现象，该驱动电路也可运用在国内外同型号设备上。
一种 cpu 驱动电路

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