[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811286628.7 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129289B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;冯雅圣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属间介电层于一基底上，然后形成一金属内连线于第一金属间介电层内，形成一下电极层以及一固定层于第一金属间介电层上，形成一牺牲层于该固定层上，图案化该牺牲层、该固定层以及该下电极层以形成一第一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)，形成一第二金属间介电层环绕第一MTJ，再去除牺牲层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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