[发明专利]横向三极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201811286465.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109449200A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市富裕泰贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L23/373;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向三极管及其制作方法，该横向三极管的形成过程包括：在衬底的上表面生长第二导电类型的第一外延层；形成贯穿第一外延层且底部连接衬底的发射极沟槽；在发射极沟槽的侧壁和底壁的表面生长第一导电类型的第二外延层；在第一外延层内形成集电极沟槽；形成位于发射极沟槽内的发射极多晶硅层和位于集电极沟槽内的集电极多晶硅层；进行高温快速热退火处理，形成位于第二外延层内的第二导电类型的发射区和位于第一外延层内的第二导电类型的集电极接触区；形成连接发射极多晶硅层的发射极和连接集电极多晶硅层的集电极；在衬底的下表面形成基极。该横向三极管的电流放大系数便于调节、且三极管的参数的一致性好、电流能力可调。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 集电极 横向三极管 发射极沟槽 导电类型 衬底 发射极多晶硅层 多晶硅层 高温快速热退火 第一导电类型 电流放大系数 集电极接触 表面生长 底部连接 电流能力 一致性好 发射极 发射区 三极管 上表面 下表面 侧壁 底壁 可调 制作 生长 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种横向三极管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；位于所述衬底的上表面的第二导电类型的第一外延层；贯穿所述第一外延层且底部连接所述衬底的发射极沟槽；位于所述发射极沟槽的侧壁和底壁的表面的第一导电类型的第二外延层；填充在所述发射极沟槽内的发射极多晶硅层；位于所述第二外延层内且与所述发射极多晶硅层接触的第二导电类型的发射区；位于所述第一外延层内的集电极沟槽；填充在所述集电极沟槽内的集电极多晶硅层；位于所述第一外延层内且与所述集电极多晶硅层接触的第二导电类型的集电极接触区；位于所述第一外延层、发射极多晶硅层和集电极多晶硅层的上表面的介质层；贯穿所述介质层且连接所述发射极多晶硅层的发射极和连接所述集电极多晶硅层的集电极；位于所述衬底的下表面的基极。
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