[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201811278696.9 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129107A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗叡 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件及其制作方法，其中该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括导电沟道；第一掺杂区，位于所述导电沟道的第一侧；第二掺杂区，位于所述导电沟道的第二侧；轻掺杂区，位于所述第一掺杂区和所述导电沟道以及所述第二掺杂区和所述导电沟道之间，且所述轻掺杂区中掺杂离子的浓度随着所述导电沟道的深度的变化而变化。本公开通过对加工工艺进行改进，形成离子浓度渐变的轻掺杂区，同时使得导电沟道的长度随着所述导电沟道的深度的增加而变长，以此来降低半导体器件发生结面崩溃的风险，抑制热载流子效应，降低漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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