[发明专利]扇出型晶圆级发光二极管封装方法及其结构有效

专利信息
申请号: 201811278289.8 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN111128982B 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 黄国欣;周充祐;蔡增光;赵永祥 申请(专利权)人: 联嘉光电股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 王玉双;李岩
地址: 中国台湾新竹市科学*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种扇出型晶圆级发光二极管封装方法及其结构,封装方法为用于封装一晶圆保护膜上的多个发光二极管芯片,其主要是先于该些发光二极管芯片的第一电极上形成一封装表层,再于该封装表层形成电性连接该第一电极的一导出电极,再切割该些发光二极管芯片并分选测试、重组该些发光二极管芯片,并藉由一封装层来覆盖该些发光二极管芯片的侧边,再于该封装层上钻孔与填充导电材来形成多个共电极,接着印刷多个共电线路,并让每一该共电线路电性连接一个该共电极与多个该导出电极,最后覆盖线路保护层即完成工艺;据此,本发明直接于晶圆保护膜上进行封装,无需使用封装基板,且藉由印刷线路的方式,可以降低成本并改善工艺生产的速度。
搜索关键词: 扇出型晶圆级 发光二极管 封装 方法 及其 结构
【主权项】:
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