[发明专利]一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极及其制备方法

摘要

一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极及其制备方法，属于显示技术领域。为三层叠层结构：在透明的基底上，第一层为致密的传输层，第二层为通过蒸镀技术生长的较为平滑的超薄低功函数金属层，第三层则是一层致密的自封装层。由于钙、铯等低功函数金属的化学特性，将其作为超薄金属主体的透明电极尚没有应用先例。本专利采用叠层结构，通过在超薄的低功函数金属两侧沉积致密的透明导电薄膜(一侧为传输层，一层为自封装层)，成功制备出了以低功函数金属为主体的、带有自封装性能的高度透明顶发射电极。本发明采用对发光器件表面几乎无损伤的制备技术制备顶发射电极，极大地提高了低功函数金属电极的透过率。

主权项

1.一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极的制备方法，其步骤如下:A.清洁透明基底，烘干；B.在步骤A得到的基底或OLED器件的有机功能层上制备传输层，传输层材料为金属氧化物，其厚度在0.5‑10nm范围内；C.在步骤B得到的传输层上制备超薄低功函数金属层，金属层材料为具有较低功函数的碱土金属，或者是其中几种碱土金属混合形成的合金，金属层的厚度在5‑40nm范围内；D.在步骤C得到的超薄低功函数金属层上制备自封装层，自封装层材料为金属氧化物，其厚度在0.5‑30nm范围内；从而得到基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极。