[发明专利]一种功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811256706.9 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109449207A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市鹏朗贸易有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种功率器件，其中的终端区至少包括：形成于第一外延层内的第二外延层，第二外延层邻接有源区，形成于第一外延层内的第二导电类型的第一注入结、第二注入结和第三注入结，第一注入结与第二外延层邻接，第二注入结与第一注入结邻接并远离第二外延层，第三注入结与第二注入结邻接并远离第一注入结，第二外延层、第一注入结、第二注入结和第三注入结的掺杂浓度依次递减，第一注入结、第二注入结和第三注入结在第一外延层内的深度依次递减。还公开了上述功率器件的制造方法，本发明提供的功率器件及其制造方法，其终端区的尺寸可以限制到100um以下，大大降低芯片尺寸，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 功率器件 邻接 依次递减 终端区 制造 导电类型 源区 掺杂 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括有源区和终端区，所述终端区形成于所述有源区的外围，所述有源区和所述终端区均形成于第一导电类型的第一外延层上；所述终端区至少包括：自所述第一外延层的表面延伸至所述第一外延层内的第二导电类型的重掺杂的第二外延层，所述第二外延层邻接所述有源区，自所述第一外延层的上表面向下延伸至所述第一外延层内的第二导电类型的第一注入结、第二注入结和第三注入结，所述第一注入结与所述第二外延层邻接，所述第二注入结与所述第一注入结邻接并远离所述第二外延层，所述第三注入结与所述第二注入结邻接并远离所述第一注入结，所述第二外延层、所述第一注入结、所述第二注入结和所述第三注入结的掺杂浓度依次递减，所述第一注入结、所述第二注入结和所述第三注入结在所述第一外延层内的深度依次递减。
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