[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811254698.4 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN111106009B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、凸出于衬底上分立的鳍部以及横跨鳍部的伪栅结构；在伪栅结构的侧壁上形成第一侧墙层；在伪栅结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层；形成覆盖源漏掺杂层的介质层；在第一侧墙层的顶端或底端处形成竖向长度小于第一侧墙层的第二侧墙层；去除伪栅结构；去除伪栅结构且形成第二侧墙层后，在介质层内形成沟槽；形成填充沟槽的金属栅极结构。本发明实施例，形成在沟槽中的金属栅极结构呈T型或者倒T型结构，沟槽的空间小，相应的金属栅极结构的体积小，降低了金属栅极结构与源漏掺杂层以及后期形成的接触孔插塞之间的电容耦合效应，进而使得半导体结构中的寄生电容变小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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