[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法有效
申请号: | 201811238583.6 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109698205B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 原义仁;北川英树;大东彻;今井元;前田昌纪;川崎达也;伊藤俊克 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23),像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成,旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p),旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。 | ||
搜索关键词: | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有源矩阵基板,具有包含多个像素区域的显示区域、及所述显示区域以外的非显示区域,该有源矩阵基板的特在在于,包括:基板;被所述基板支持的、沿第1方向延伸的多根源极总线、及沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸的多根栅极总线;分别配置于所述多个像素区域的薄膜晶体管及像素电极;隔着介电层配置于所述像素电极上的共用电极;及配置于所述显示区域内的、包含所述多根栅极总线的栅极金属层与包含所述多根源极总线的源极金属层之间的旋涂玻璃层;所述薄膜晶体管具有形成于所述栅极金属层的栅极电极、覆盖所述栅极电极的栅极绝缘层、配置于所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层、形成于所述源极金属层且电连接于所述氧化物半导体层的源极电极及漏极电极,所述栅极电极与所述多根栅极总线中的对应的一根电连接,所述源极电极与所述多根源极总线中的对应的一根电连接,所述漏极电极与所述像素电极相接,所述像素电极是由与所述氧化物半导体层相同的金属氧化物膜形成,所述旋涂玻璃层在所述多个像素区域的每一个区域内,在形成所述薄膜晶体管的部分具有开口部,所述旋涂玻璃层位于所述多根源极总线中的一根与所述多根栅极总线中的一根交叉的交叉部的、所述一根源极总线与所述一根栅极总线之间,且位于所述多个像素区域的每一个区域内的、所述像素电极的至少一部分与所述基板之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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