[发明专利]竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法

摘要

本公开提供了竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法，所述装置包括：单元阵列，其包括在第二方向上彼此间隔开的多个单元区，每个单元区包括规则排列的多个竖直沟道；在第二方向上延伸的位线，所述位线在与第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开；以及位线接触部分，它们分别将竖直沟道与位线电连接，其中，每个单元区包括被构造为在第二方向上电隔离单元区的子隔离区，子隔离区在第一方向上延伸，在每个单元区中，竖直沟道根据在第二方向上与子隔离区相距的距离分为多类，并且位线接触部分被构造为将每条位线电连接至具有不同类型的至少两个竖直沟道。

主权项

1.一种竖直存储器装置，包括：单元阵列，其包括在第二方向上彼此间隔开的多个单元区，所述多个单元区中的每个单元区包括规则排列的多个竖直沟道；多条位线，其在所述第二方向上延伸，所述位线在与所述第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开；以及多个位线接触部分，其分别将所述多个竖直沟道与所述多条位线电连接，其中，所述多个单元区中的每个单元区包括被构造为在所述第二方向上电隔离该单元区的子隔离区，所述子隔离区在所述第一方向上延伸，其中，在所述单元区中的每一个中，所述多个竖直沟道根据在所述第二方向上与所述子隔离区相距的距离分为多个类型，并且其中，所述多个位线接触部分被构造为将所述多条位线中的每条位线电连接至具有不同类型的至少两个竖直沟道。