[发明专利]半导体工艺装置及其工作方法在审
| 申请号： | 201811147945.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109326541A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈伯廷;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体工艺装置及其工作方法，其中，半导体工艺装置包括：腔室，所述腔室具有进气口，所述进气口用于向腔室内输入反应气体；感温元件，位于腔室外，用于检测腔室内热辐射信息；控制单元，用于获取所述腔室内热辐射信息，并在腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，停止向腔室内输入反应气体。利用所述半导体工艺装置能够完全去除腔室内侧壁的副产物，还能够减少对腔室内侧壁的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体工艺 室内热辐射 进气口 腔室内侧壁 输入反应 腔室 室内 热辐射信息 感温元件 腔室材料 副产物 检测腔 去除 室外 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺装置，其特征在于，包括：腔室，所述腔室具有进气口，所述进气口用于向腔室内输入反应气体；感温元件，位于腔室外，用于检测腔室内热辐射信息；控制单元，用于获取所述腔室内热辐射信息，并在腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，停止向腔室内输入反应气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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