[发明专利]半导体工艺装置及其工作方法

权利要求书

1.一种半导体工艺装置，其特征在于，包括：

腔室，所述腔室具有进气口，所述进气口用于向腔室内输入反应气体；

感温元件，位于腔室外，用于检测腔室内热辐射信息；

控制单元，用于获取所述腔室内热辐射信息，并在腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，停止向腔室内输入反应气体。

2.如权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述腔室用于进行化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺或者干法刻蚀工艺。

3.如权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述感温元件包括：全辐射温度传感器。

4.如权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，还包括：输气管，所述输气管与进气口连通，所述输气管用于向腔室内输入反应气体；开关，用于控制输气管内的反应气体流动或停止。

5.如权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，还包括：验证单元，用于验证腔室内侧壁是否洁净；所述验证单元包括：判断单元，所述判断单元用于判断腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致；反馈单元，当腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，所述反馈单元用于停止向腔室内通入反应气体，当所述腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息不一致时，所述反馈单元用于向腔室内通入反应气体。

6.一种半导体工艺装置的工作方法，其特征在于，包括：

提供权利要求1至权利要求5任一项所述的半导体工艺装置；

提供反应气体，所述反应气体通过进气口进入腔室内，对腔室内壁进行清洁；

采用感温元件检测腔室内热辐射信息；

利用控制单元获取所述腔室内热辐射信息，当腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，所述控制单元停止向腔室内输入反应气体。

7.如权利要求6所述的半导体工艺装置的工作方法，其特征在于，所述控制单元停止向腔室内输入反应气体之后，还包括：通过验证单元进行验证试验；所述验证单元包括：判断单元，所述判断单元用于判断腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致；反馈单元，当腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，所述反馈单元用于停止向腔室内通入反应气体，当所述腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息不一致时，所述反馈单元用于向腔室内通入反应气体；所述验证试验的方法包括：对腔室进行升温处理；开启感温元件；当所述升温处理达到目标温度及开启感温元件后，对腔室进行降温处理；在降温处理的过程中，通过所述感温元件检测腔室内的热辐射信息；通过判断单元判断腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息是否一致；当腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，所述反馈单元停止向腔室内通入反应气体；当腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息不一致时，所述反馈单元向腔室内通入反应气体。

8.如权利要求7所述的半导体工艺装置的工作方法，其特征在于，当腔室材料的热辐射信息为腔室材料温度相对于时间的变化关系信息时，所述感温元件检测腔室内热辐射信息为腔室内温度相对于时间的变化关系信息。

9.如权利要求7所述的半导体工艺装置的工作方法，其特征在于，当腔室材料的热辐射信息为腔室材料的波长相对于温度的变化关系信息时，所述感温元件检测腔室内的热辐射信息为腔室内波长相对于温度的变化关系信息。

10.如权利要求7所述的半导体工艺装置的工作方法，其特征在于，所述升温处理的升温范围为80摄氏度～120摄氏度；所述降温处理的降温范围为：80摄氏度～120摄氏度。