[发明专利]半导体工艺装置及其工作方法

说明书

一种半导体工艺装置及其工作方法，其中，半导体工艺装置包括：腔室，所述腔室具有进气口，所述进气口用于向腔室内输入反应气体；感温元件，位于腔室外，用于检测腔室内热辐射信息；控制单元，用于获取所述腔室内热辐射信息，并在腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，停止向腔室内输入反应气体。利用所述半导体工艺装置能够完全去除腔室内侧壁的副产物，还能够减少对腔室内侧壁的损伤。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体工艺装置及其工作方法。

背景技术

在半导体工艺制造过程中，所述半导体工艺通常在相应的腔室内进行，在进行半导体工艺的过程中，易在腔室的内侧壁产生副产物。为了防止副产物对后续工艺造成影响，通常定期对腔室的内侧壁进行清洁保养。目前，清洁保养的方法包括：物理擦拭法和化学去除法。

然而，现有方法对腔室内侧壁的清洁保养的效果较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体工艺装置及其工作方法，能够保证腔室内侧壁清洗度，且减少对腔室内侧壁造成损伤。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体工艺装置，包括：腔室，所述腔室具有进气口，所述进气口用于向腔室内输入反应气体；感温元件，位于腔室外，用于检测腔室内热辐射信息；控制单元，用于获取所述腔室内热辐射信息，并在腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，停止向腔室内输入反应气体。

可选的，所述腔室用于进行化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺或者干法刻蚀工艺。

可选的，所述感温元件包括：全辐射温度传感器。

可选的，还包括：输气管，所述输气管与进气口连通，所述输气管用于向腔室内输入反应气体；开关，用于控制输气管内的反应气体流动或者停止。

可选的，还包括：验证单元，用于验证腔室内侧壁是否洁净；所述验证单元包括：判断单元，所述判断单元用于判断腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息是否一致；反馈单元，当腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，所述反馈单元用于停止向腔室内通入反应气体，当所述腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息不一致时，所述反馈单元用于向腔室内通入反应气体。

相应的，本发明还提供一种半导体工艺装置的工作方法，包括：提供上述半导体工艺装置；提供反应气体，所述反应气体通过进气口进入腔室内，所述反应气体对腔室内侧壁进行清洁；采用感温元件检测腔室内热辐射信息；利用控制单元获取所述腔室内热辐射信息，当腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，所述控制单元停止向腔室内输入反应气体。

可选的，所述控制单元停止向腔室内输入反应气体之后，还包括：通过验证单元进行验证试验；所述验证单元包括：判断单元，所述判断单元用于判断腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致；反馈单元，当腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，所述反馈单元用于停止向腔室内通入反应气体，当所述腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息不一致时，所述反馈单元用于向腔室内通入反应气体；所述验证试验的方法包括：对腔室进行升温处理；开启感温元件；当所述升温处理达到目标温度及开启感温元件之后，对腔室的温度进行降温处理；在降温处理的过程中，通过所述感温元件检测腔室内热辐射信息；通过判断单元判断腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息是否一致；当腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息一致时，所述反馈单元停止向腔室内通入反应气体；当腔室内热辐射信息与腔室材料的热辐射信息不一致时，所述反馈单元向腔室内通入反应气体。

可选的，当腔室材料的热辐射信息为腔室材料温度相对于时间的变化关系信息时，所述感温元件检测腔室内热辐射信息为腔室内温度相对于时间的变化关系信息。

可选的，当腔室材料的热辐射信息为腔室材料的波长相对于温度的变化关系信息时，所述感温元件检测的热辐射信息为腔室内波长相对于温度变化关系信息。