[发明专利]半导体装置和设备有效
| 申请号: | 201811143648.9 | 申请日: | 2018-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN109585474B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
| 发明(设计)人: | 小林广明;古林笃;樱井克仁 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 宿小猛 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本公开涉及半导体装置和设备。半导体装置包括具有配置为矩阵形式的多个像素电路的第一芯片和具有配置为矩阵形式的多个电气电路的第二芯片的叠层。构成像素电路的半导体元件与构成电路的半导体元件之间的布线路径或构成像素电路的半导体元件与构成电路的半导体元件的位置关系在电路之间不同。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 设备 | ||
【主权项】:
1.一种包括第一芯片和第二芯片的堆叠的半导体装置,其特征在于,第一芯片具有布置为J行和K列的矩阵形式的多个像素电路,第二芯片具有布置为T行和U列的矩阵形式的多个电气电路,其中,第一芯片包含具有构成所述多个像素电路的多个半导体元件的第一半导体层和包含构成所述多个像素电路的M个布线层的第一布线结构,其中,第二芯片包含具有构成所述多个电气电路的多个半导体元件的第二半导体层和包含构成所述多个电气电路的N个布线层的第二布线结构,其中,第一布线结构被放置在第一半导体层和第二半导体层之间,其中,第二布线结构被放置在第一布线结构和第二半导体层之间,其中,包含于第一布线结构中的从第一半导体层起的第M布线层中并且连接到所述多个像素电路之一的第一导电部分和包含于第二布线结构中的从第二半导体层起的第N布线层中并且连接到所述多个电气电路之一的第二导电部分电连接,其中,包含于第M布线层中并且连接到所述多个像素电路之一的第三导电部分和包含于第N布线层中并且连接到所述多个电气电路之一的第四导电部分电连接,其中,从第二导电部分到构成所述多个像素电路的所述多个半导体元件的最短布线路径是第一长度,并且从第一导电部分到构成所述多个电气电路的所述多个半导体元件的最短布线路径是第二长度,其中,从第四导电部分到构成所述多个像素电路的所述多个半导体元件的最短布线路径是第三长度,并且,从第三导电部分到构成所述多个电气电路的所述多个半导体元件的最短布线路径是第四长度,其中,第三长度和第四长度的总和比第一长度和第二长度的总和长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





