[发明专利]图像感测设备及其制造方法在审
| 申请号: | 201811132946.8 | 申请日: | 2018-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN109585473A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
| 发明(设计)人: | 尹惺铉;权杜原;金宽植;白寅圭;宋泰荣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 一种制造图像感测设备的方法,包含:形成包含像素区域的第一区域的第一衬底结构,第一衬底结构具有第一表面和第二表面;形成包含用于驱动像素区域的电路区域的第二衬底结构,第二衬底结构具有第三表面和第四表面;将第一衬底结构结合到第二衬底结构,以使得第一表面连接到第三表面;在第二表面上形成像素区域的第二区域;形成第一连接通孔,第一连接通孔从第二表面延伸以穿过第一衬底结构;使用导电凸块将半导体芯片安装在第四表面上;以及将第一衬底结构、第二衬底结构以及半导体芯片的堆叠结构分离成单元图像感测设备。 | ||
| 搜索关键词: | 衬底结构 第二表面 像素区域 图像感测设备 第一表面 连接通孔 半导体芯片安装 半导体芯片 单元图像 导电凸块 第二区域 第一区域 电路区域 堆叠结构 感测设备 制造 穿过 驱动 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种制造图像感测设备的方法,包括:形成包含像素区域的第一区域的第一衬底结构,所述第一衬底结构具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;形成包含用于驱动所述像素区域的电路区域的第二衬底结构,所述第二衬底结构具有第三表面以及与所述第三表面相对的第四表面;将所述第一衬底结构结合到所述第二衬底结构,以使得所述第一衬底结构的所述第一表面连接到所述第二衬底结构的所述第三表面;在所述第一衬底结构的所述第二表面上形成所述像素区域的第二区域;形成第一连接通孔,所述第一连接通孔从所述第一衬底结构的所述第二表面延伸以穿过所述第一衬底结构;使用导电凸块将半导体芯片安装在所述第二衬底结构的所述第四表面上;以及将所述第一衬底结构、所述第二衬底结构以及所述半导体芯片的堆叠结构分离成单元图像感测设备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





