[发明专利]图像感测设备及其制造方法在审
| 申请号: | 201811132946.8 | 申请日: | 2018-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN109585473A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
| 发明(设计)人: | 尹惺铉;权杜原;金宽植;白寅圭;宋泰荣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底结构 第二表面 像素区域 图像感测设备 第一表面 连接通孔 半导体芯片安装 半导体芯片 单元图像 导电凸块 第二区域 第一区域 电路区域 堆叠结构 感测设备 制造 穿过 驱动 延伸 | ||
1.一种制造图像感测设备的方法,包括:
形成包含像素区域的第一区域的第一衬底结构,所述第一衬底结构具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;
形成包含用于驱动所述像素区域的电路区域的第二衬底结构,所述第二衬底结构具有第三表面以及与所述第三表面相对的第四表面;
将所述第一衬底结构结合到所述第二衬底结构,以使得所述第一衬底结构的所述第一表面连接到所述第二衬底结构的所述第三表面;
在所述第一衬底结构的所述第二表面上形成所述像素区域的第二区域;
形成第一连接通孔,所述第一连接通孔从所述第一衬底结构的所述第二表面延伸以穿过所述第一衬底结构;
使用导电凸块将半导体芯片安装在所述第二衬底结构的所述第四表面上;以及
将所述第一衬底结构、所述第二衬底结构以及所述半导体芯片的堆叠结构分离成单元图像感测设备。
2.根据权利要求1所述的制造图像感测设备的方法,进一步包括:形成穿过所述第二衬底结构的一部分的第二连接通孔。
3.根据权利要求2所述的制造图像感测设备的方法,其中形成所述第二连接通孔在将所述第一衬底结构结合到所述第二衬底结构之前执行,以及进一步包含在将所述第一衬底结构结合到所述第二衬底结构之后,通过从所述第四表面去除所述第二衬底结构的一部分来暴露所述第二连接通孔。
4.根据权利要求2所述的制造图像感测设备的方法,其中形成所述第二连接通孔在将所述第一衬底结构结合到所述第二衬底结构之后执行。
5.根据权利要求1所述的制造图像感测设备的方法,进一步包括:
在将所述第一衬底结构结合到所述第二衬底结构之后,将载体衬底结合到所述第一衬底结构的所述第二表面;以及
从所述第一衬底结构的所述第二表面去除所述载体衬底。
6.根据权利要求1所述的制造图像感测设备的方法,进一步包括:在安装所述半导体芯片之前,在所述第二衬底结构的所述第四表面上形成再分布层及导电连接焊盘,所述导电连接焊盘设置在所述再分布层上以及连接到所述导电凸块。
7.根据权利要求1所述的制造图像感测设备的方法,进一步包括:形成包封所述半导体芯片的包封部分。
8.根据权利要求7所述的制造图像感测设备的方法,进一步包括:去除所述包封部分的一部分,以使得暴露所述半导体芯片的一个表面。
9.根据权利要求1所述的制造图像感测设备的方法,其中所述半导体芯片包含:
再分布层,设置在与所述第二衬底结构的所述第四表面相对的所述半导体芯片的表面上;以及
连接焊盘,设置在所述再分布层上以及连接到所述导电凸块。
10.根据权利要求1所述的制造图像感测设备的方法,其中安装所述半导体芯片包含将与所述电路区域电隔离的虚设芯片连同所述半导体芯片一起安装。
11.根据权利要求1所述的制造图像感测设备的方法,其中安装所述半导体芯片包含将电连接到所述电路区域的逻辑芯片连同所述半导体芯片一起安装。
12.根据权利要求1所述的制造图像感测设备的方法,其中所述第二衬底结构包含:
第二衬底,具有设置其上的元件以形成所述电路区域;以及
层间绝缘层,设置在所述第二衬底上以及具有设置其中的布线结构,
其中所述第一连接通孔延伸到所述层间绝缘层的一部分。
13.根据权利要求12所述的制造图像感测设备的方法,进一步包括:形成穿过所述第二衬底结构的一部分的第二连接通孔,
其中所述第二连接通孔穿过所述第二衬底,以及连接到设置在所述层间绝缘层中的所述布线结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





