[发明专利]半导体工艺方法有效
| 申请号： | 201811113172.4 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110379703B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 余德伟;陈建豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 于此公开的实施例整体涉及使用循环式沉积‑蚀刻工艺于高深宽比的沟槽中形成栅极层。于一实施例中，提供一种半导体工艺方法。此方法包含：进行循环式沉积‑蚀刻工艺以于底面上方以及沿基底上的部件的多个侧壁表面形成顺应性薄膜。此方法包含形成介电盖层于顺应性薄膜上。此方法包含对顺应性薄膜进行退火工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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