[发明专利]L型晶体管、半导体存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201811103364.7 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110931559A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 赵亮 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种L型晶体管、半导体存储器及其制备方法，所述L型晶体管具有沿第二方向延伸的L型鳍片，第一源/漏区形成在所述L型鳍片的竖直鳍片部中，第二源/漏区形成在所述L型鳍片的水平直鳍片部中，栅极设置在所述水平直鳍片部上并沿所述第一方向延伸，由此使得所述第一源/漏区与第二源/漏区之间形成一个垂直L型沟道，可以增加有效沟道长度，克服短沟道效应，有利于实现更小的特征尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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