[发明专利]芯片密封环结构及其制备方法、半导体芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811102067.0 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110931436A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片密封环结构及其制备方法、半导体芯片及其制备方法，其中，芯片密封环结构的制备方法至少包括：提供芯片，芯片的主动面上形成有底保护层；于底保护层上形成第一密封金属环和第二密封金属环，第一密封金属环位于芯片的主动面周边，第二密封金属环以堆栈方式设置于第一密封金属环上；于底保护层上形成绝缘介质层，绝缘介质层具有暴露第二密封金属环的隔离环槽，隔离环槽的底部未暴露底保护层；于绝缘介质层上及隔离环槽内形成防潮层，防潮层覆盖第二密封金属环的第一暴露部位以及绝缘介质层在隔离环槽内的第二暴露部位。本发明能够有效避免芯片的内部器件受到气液氧化或者侵蚀，大大增强了气液阻挡能力。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 密封 结构 及其 制备 方法 半导体 | ||
【主权项】：
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