[发明专利]半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 201811102015.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110931351A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 李天慧;杨瑞鹏;肖德元 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/72 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括如下步骤：1)提供一基底，于基底上形成目标材料层；2)采用定向自组装方法于目标材料层上形成自动分层的嵌段共聚物层；3)去除聚苯乙烯层；4)依据聚乙烯甲基丙烯酸甲酯层刻蚀目标材料层，以形成初始图形结构；去除聚乙烯甲基丙烯酸甲酯层；5)于步骤4)所得结构的表面形成光刻胶层；6)提供一二元式光掩膜版，二元式光掩膜版内形成有修正图形；7)依据二元式光掩膜版对光刻胶层进行曝光显影，以得到图形化光刻胶层；8)依据图形化光刻胶层对初始图形结构进行修正，以得到目标图形结构。本发明的半导体结构的制备方法只使用一个二元式光刻掩膜版，节省了光掩模版的使用数量，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
