[发明专利]形成绝缘体上硅衬底的方法在审
| 申请号： | 201811096503.8 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109616440A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 艾力克斯·乌先科 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开形成绝缘体上硅衬底的方法。在一些实施例中，在牺牲衬底上形成外延层及氧化物层。在所述外延层中形成蚀刻终止层。在所述氧化物层处将所述牺牲衬底结合到处理衬底。移除所述牺牲衬底。部分地移除所述外延层，直到暴露出所述蚀刻终止层。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 外延层 绝缘体上硅 蚀刻终止层 氧化物层 移除 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种形成绝缘体上硅衬底的方法，其特征在于，包括：在牺牲衬底上形成外延层及氧化物层；在所述外延层中形成蚀刻终止层；在所述氧化物层处将所述牺牲衬底结合到处理衬底；移除所述牺牲衬底；以及部分地移除所述外延层，直到暴露出所述蚀刻终止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
