[发明专利]一种无注入型终结端结构的SiC肖特基二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种无注入型终结端结构的SiC肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在4H‑SiC衬底上面形成4H‑SiC漂移层；在4H‑SiC漂移层上形成SiO₂掺硼乳胶源层；刻蚀SiO₂掺硼乳胶源层，在4H‑SiC漂移层上保留部分SiO₂掺硼乳胶源层；在SiO₂掺硼乳胶源层和4H‑SiC漂移层上形成第一钝化层；在4H‑SiC衬底下面制备欧姆接触金属层；刻蚀第一钝化层和SiO₂掺硼乳胶源层，以漏出部分区域的4H‑SiC漂移层，在4H‑SiC漂移层上制备肖特基接触金属层；在肖特基接触金属层上形成第一接触层；在欧姆接触金属层下面形成第二接触层；在第一钝化层和部分第一接触层上形成第二钝化层，以完成SiC肖特基二极管的制备。本发明肖特基二极管，避免了离子注入给二极管带来的晶格损伤。

主权项

1.一种无注入型终结端结构的SiC肖特基二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在4H‑SiC衬底上面形成4H‑SiC漂移层；在所述4H‑SiC漂移层上形成SiO2掺硼乳胶源层；刻蚀所述SiO2掺硼乳胶源层，在所述4H‑SiC漂移层上保留部分所述SiO2掺硼乳胶源层；在所述SiO2掺硼乳胶源层和所述4H‑SiC漂移层上形成第一钝化层；在所述4H‑SiC衬底下面制备欧姆接触金属层；刻蚀所述第一钝化层和所述SiO2掺硼乳胶源层，以漏出部分区域的所述4H‑SiC漂移层，在所述4H‑SiC漂移层上制备肖特基接触金属层；在所述肖特基接触金属层上形成第一接触层；在所述欧姆接触金属层下面形成第二接触层；在所述第一钝化层和部分所述第一接触层上形成第二钝化层，以完成所述SiC肖特基二极管的制备。