[发明专利]一种用于制造组合半导体器件的方法有效

申请号：	201811063534.3	申请日：	2018-09-12
公开（公告）号：	CN109494193B	公开（公告）日：	2023-09-12
发明（设计）人：	D·A·楚玛科夫;C·达尔	申请（专利权）人：	英飞凌科技股份有限公司
主分类号：	H01L21/8249	分类号：	H01L21/8249
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	郑立柱;张昊
地址：	德国诺伊***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	实施例提供了一种用于制造组合半导体器件的方法。该方法包括提供半导体衬底的步骤。此外，该方法包括在半导体衬底的非CMOS区域中提供保护层或保护层堆叠的步骤，其中非CMOS区域是半导体衬底为非CMOS器件预留的部分。此外，该方法包括在半导体衬底的CMOS区域中至少部分地制造CMOS器件的步骤，非CMOS区域和CMOS区域彼此不同。此外，该方法包括去除保护层或保护层堆叠，以暴露非CMOS区域中的半导体衬底的步骤。此外，该方法包括在半导体衬底的非CMOS区域中制造非CMOS器件的步骤。
搜索关键词：	一种用于制造组合半导体器件方法
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【主权项】：

1.一种用于制造组合半导体器件(120)的方法(100)，所述方法包括：提供(102)半导体衬底(122)；在所述半导体衬底(122)的非CMOS区域(124)中提供保护层(130)或保护层堆叠(134)，其中所述非CMOS区域(124)是所述半导体衬底(122)为非CMOS器件(160)预留的部分；在所述半导体衬底(122)的CMOS区域(126)中至少部分地制造(106)CMOS器件(162)，所述非CMOS区域(124)和所述CMOS区域(126)相互不同；去除(108)所述保护层(130)或所述保护层堆叠(134)，以暴露所述非CMOS区域(124)中的所述半导体衬底(122)；以及在所述半导体衬底(122)的所述非CMOS区域(104)中至少部分地制造(110)非CMOS器件(160)。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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