[发明专利]一种用于制造组合半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造组合半导体器件(120)的方法(100)，所述方法包括：

提供半导体衬底(122)；

在所述半导体衬底(122)的非CMOS区域(124)中提供保护层(130)或保护层堆叠(134)，其中所述非CMOS区域(124)是所述半导体衬底(122)为非CMOS器件(160)预留的部分；

在所述半导体衬底(122)的CMOS区域(126)中至少部分地制造CMOS器件(162)，所述非CMOS区域(124)和所述CMOS区域(126)相互不同；

去除所述保护层(130)或所述保护层堆叠(134)，以暴露所述非CMOS区域(124)中的所述半导体衬底(122)；以及

在所述半导体衬底(122)的所述非CMOS区域中至少部分地制造非CMOS器件(160)，

其中所述保护层(130)或所述保护层堆叠(134)适于在所述CMOS器件(162)的至少部分制造期间保护所述半导体衬底(122)的所述非CMOS区域(124)。

2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中在所述CMOS器件(162)的至少部分制造之前，提供所述保护层(130)或所述保护层堆叠(134)。

3.根据权利要求1所述的方法(100)，其中所述CMOS器件的至少部分制造包括：在所述CMOS器件(160)的栅极(140)或栅极氧化物(142)的侧壁上提供横向间隔件(146)。

4.根据权利要求1所述的方法(100)，其中所述CMOS器件的至少部分制造包括至少一个回蚀步骤。

5.根据权利要求1所述的方法(100)，其中提供所述保护层(130)或所述保护层堆叠(134)的步骤包括：

在所述半导体衬底(122)上沉积所述保护层(130)或所述保护层堆叠(134)；以及

结构化所述保护层(130)或所述保护层堆叠(134)，以限定所述半导体衬底(122)的所述非CMOS区域(124)。

6.根据权利要求1所述的方法(100)，其中所述保护层堆叠(134)包括具有不同蚀刻选择性的至少两个材料层。

7.根据权利要求1所述的方法(100)，其中所述保护层堆叠(134)包括氧化物层(130)。

8.根据权利要求1所述的方法(100)，其中所述保护层堆叠(134)包括氮化物层(132)。

9.根据权利要求1所述的方法(100)，其中所述方法(100)包括：在去除所述保护层(130)或所述保护层堆叠(134)之前，在所述保护层(130)或所述保护层堆叠(134)以及至少部分制造的CMOS器件(162)上提供保护掩模层(150)。

10.根据权利要求9所述的方法(100)，其中去除所述保护层(130)或所述保护层堆叠(134)的步骤包括：去除所述保护层(130)或所述保护层堆叠(134)上的所述保护掩模层(150)，同时保留所述保护掩模层(150)的覆盖至少部分制造的CMOS器件(162)的部分。

11.根据权利要求9所述的方法(100)，其中所述方法(100)包括：将所述保护掩模层(150)用作硅化物形成阻挡掩模。

12.根据权利要求9所述的方法(100)，其中所述保护掩模层(150)是硬掩模。

13.根据权利要求9所述的方法(100)，其中所述方法(100)包括去除所述保护掩模层(150)，并且共同完成所述非CMOS器件(160)和所述CMOS器件(162)的制造。