[发明专利]基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811040406.7 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110880533B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 徐峰;于国浩;李军帅;邓旭光;张丽;宋亮;范亚明;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/15;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;赵世发 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法。所述基于超晶格结构的异质结包括第一半导体层和第二半导体层，在所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气，所述第一半导体层为Al |
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| 搜索关键词： | 基于 晶格 结构 异质结 增强 hemt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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