[发明专利]互连结构及其制作方法、半导体器件在审
| 申请号： | 201811033489.7 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110880476A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 吴双双 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种互连结构及其制作方法、半导体器件，所述制作方法包括：在基底上形成第一层间介质层，刻蚀第一层间介质层，形成贯穿第一层间介质层的多个凹槽，然后依次在凹槽的侧壁形成牺牲层与低介电常数介质层，接着在凹槽内形成金属互连线，然后去除牺牲层，以在金属互连线的侧壁形成间隙，最后形成绝缘层，绝缘层覆盖第一层间介质层、金属互连线与所述低介电常数介质层，并遮盖间隙的顶部开口，以封闭间隙形成空气隙，空气隙位于相邻金属互连线之间，且空气隙具有较小的介电常数，能够减小相邻金属互连线之间的寄生电容，从而减少寄生电容造成的RC延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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