[发明专利]半导体装置结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201811025096.1 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110875385B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 周政伟;林信志;周钰杰 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置结构及其制造方法。上述制造方法包含提供衬底基板。上述制造方法亦包含形成缓冲层于衬底基板上。上述制造方法更包含形成图案化硅层于缓冲层上。图案化硅层具有开口露出部分的缓冲层。此外，上述制造方法包含依序外延生长图案化沟道层及图案化障壁层于图案化硅层的上表面上。载流子沟道形成于图案化沟道层与图案化障壁层之间的界面上。上述制造方法亦包含形成栅极电极于图案化障壁层上。本发明可以提升半导体装置结构的品质，降低半导体装置结构的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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