[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法在审
| 申请号： | 201811016581.2 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390440A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 曾海军;孙旭东;任亮亮;祝光辉;芦玲 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/00;H01L23/60;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 223001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件制备技术领域，一种发光二极管的外延片及制备方法，外延片从下到上依次为蓝宝石衬底、AlN缓冲层、3D GaN层、超晶格缺陷屏蔽层、2D GaN层、Si掺杂GaN层、应力释放层、发光层和Mg掺杂GaN层；超晶格缺陷屏蔽层是生长在3D GaN上的周期性重复的AlxGayN/GaN层，其厚度为50～250nm；通过在3D GaN层和2D GaN层之间插入一层超晶格缺陷屏蔽层，通过该层AlxGayN/GaN界面张应力的变化，使3D GaN层生长时产生的缺陷的延伸方向发生侧向偏转，从而部分减少了缺陷往后面各层的延伸，提高了整个外延层的晶体质量，从而提高了外延片的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 外延片 超晶格 屏蔽层 发光二极管 制备 掺杂 半导体器件制备 抗静电能力 应力释放层 周期性重复 侧向偏转 蓝宝石 发光层 外延层 张应力 生长 延伸 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述的外延片从下到上依次为蓝宝石衬底、AlN缓冲层、3D GaN层、超晶格缺陷屏蔽层、2D GaN层、Si掺杂GaN层、应力释放层、发光层和Mg掺杂GaN层；所述的超晶格缺陷屏蔽层是生长在3D GaN上的周期性重复的AlxGayN/GaN层，其厚度为50～250nm；AlxGayN/GaN层的周期重复数为5～20，AlxGayN/GaN层中的AlxGayN单层的厚度为2～5nm，AlxGayN/GaN层中的GaN单层的厚度为5～8nm；所述的AlxGayN/GaN层的AlxGayN层的Al组分x的值为0.1或在0.05～0.2；GaN层的厚度固定的或沿着生长方向厚度逐渐变厚。
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