[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法在审
| 申请号： | 201811016581.2 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390440A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 曾海军;孙旭东;任亮亮;祝光辉;芦玲 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/00;H01L23/60;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 223001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延片 超晶格 屏蔽层 发光二极管 制备 掺杂 半导体器件制备 抗静电能力 应力释放层 周期性重复 侧向偏转 蓝宝石 发光层 外延层 张应力 生长 延伸 衬底 | ||
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述的外延片从下到上依次为蓝宝石衬底、AlN缓冲层、3D GaN层、超晶格缺陷屏蔽层、2D GaN层、Si掺杂GaN层、应力释放层、发光层和Mg掺杂GaN层；所述的超晶格缺陷屏蔽层是生长在3D GaN上的周期性重复的AlxGayN/GaN层，其厚度为50～250nm；AlxGayN/GaN层的周期重复数为5～20，AlxGayN/GaN层中的AlxGayN单层的厚度为2～5nm，AlxGayN/GaN层中的GaN单层的厚度为5～8nm；
所述的AlxGayN/GaN层的AlxGayN层的Al组分x的值为0.1或在0.05～0.2；GaN层的厚度固定的或沿着生长方向厚度逐渐变厚。
2.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，步骤如下：
提供一种蓝宝石衬底；
在蓝宝石衬底上用物理气相沉积法长一层厚度为20nm的AlN缓冲层；
在所述缓冲层上生长3D GaN层；
在所述3D GaN层上生长超晶格缺陷屏蔽层；
在所述超晶格缺陷屏蔽层上生长2D GaN层；
在所述2D GaN层上生长Si掺杂GaN层；
在所述Si掺杂GaN层上生长应力释放层；
在所述应力释放层上生长发光层；
在发光层上生长Mg掺杂GaN层，
其中，所述超晶格缺陷屏蔽层包括周期性交替生长的AlxGayN层和GaN层；
所述AlxGayN层的生长压力为100～350mbar，且所述AlxGayN层的层数为5～20；
所述GaN层和所述的AlxGayN层的层数相同，GaN层的生长压力为200～600mbar。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述3D GaN层上生长缺陷屏蔽层，包括：在process gap 11～12.5mm区间生长AlxGayN层和在process gap11～12mm区间生长GaN层。
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