[发明专利]高导电低阻值的芯片封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811007427.9 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109065515A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张光耀 | 申请（专利权）人： | 合肥矽迈微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 高翠花;翟羽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高导电低阻值的芯片封装结构及其制备方法，所述芯片封装结构包括一基板、至少一芯片及塑封所述芯片的塑封体，所述芯片的背面设置在所述基板上，每一所述芯片的正面具有多种不同类型的焊垫，相同类型的焊垫全部或部分通过一个或多个导电片连接。本发明的优点在于，本发明芯片封装结构将芯片的相同类型的焊垫通过一导电片连接，形成大面积的导电层，导电性能好，比传统的晶圆级封装在高电流时的电阻值更低；且可以避免倒装工艺中电镀小的金属凸块时出现金属凸块的间距不足或者高度偏小的风险；对导电片的高度均一性无要求，只需满足最小高度即可。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片封装结构 芯片 导电片 焊垫 金属凸块 高导电 基板 制备 高度均一性 晶圆级封装 背面设置 导电性能 传统的 导电层 高电流 塑封体 电镀 倒装 电阻 塑封 | ||
【主权项】：
1.一种高导电低阻值的芯片封装结构，其特征在于，包括一基板、至少一芯片及塑封所述芯片的塑封体，所述芯片的背面设置在所述基板上，每一所述芯片的正面具有多种不同类型的焊垫，相同类型的焊垫全部或部分通过一个或多个导电片连接。
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