[发明专利]有源区阵列及其形成方法、半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种有源区阵列及其形成方法、半导体器件及其形成方法。利用辅助线自对准形成排布密集度呈双倍增加的第一自对准间隔图案，并基于第一自对准间隔图案自对准形成第二自对准间隔图案，第二自对准间隔图案的排布密集度相对于第一自对准间隔图案而言呈双倍增加，接着即可利用第二自对准间隔图案定义出有源区阵列的图形。可见，基于本发明提供的有源区阵列的形成方法，即使在光刻工艺的精度限制下，仍能够实现有源区尺寸的进一步缩减，并可以有效提高有源区阵列中有源区的密集度。