[发明专利]有源区阵列及其形成方法、半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种有源区阵列的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底的上表面包含元件阵列区；

形成多条辅助线在所述衬底上，所述辅助线沿着第一方向延伸并贯穿所述元件阵列区，以及所述辅助线沿着第二方向依次排布，每一所述辅助线具有两平行向且高起于所述衬底的第一长度向侧壁；

形成多条第一自对准间隔图案在所述辅助线的所述第一长度向侧壁的侧边，所述第一自对准间隔图案顺应所述辅助线的所述第一长度向侧壁沿着所述第一方向延伸；形成多条第一自对准间隔图案的步骤包括：辅助利用一光罩的图形，确定所述第一自对准间隔图案的长度，以使至少一个所述第一自对准间隔图案完整形成在所述元件阵列区内；及，去除所述辅助线，每一所述第一自对准间隔图案具有两平行向且高起于所述衬底的第二长度向侧壁；

形成多条第二自对准间隔图案在所述第一自对准间隔图案的第二长度向侧壁的侧边，所述第二自对准间隔图案顺应所述第一自对准间隔图案的所述第二长度向侧壁沿着所述第一方向延伸；形成多条第二自对准间隔图案的步驟包括：再辅助利用所述光罩的图形，确定所述第二自对准间隔图案的长度，至少一组两两成对的所述第二自对准间隔图案完整形成在所述元件阵列区内且相互分离；及，去除所述第一自对准间隔图案，每一组所述第二自对准间隔图案的间隙由所述第一自对准间隔图案的横向成膜厚度定义；以及，

将所述第二自对准间隔图案的图形复制至所述衬底中，以定义出多个有源区在所述衬底中，并构成所述元件阵列区内的有源区阵列。

2.如权利要求1所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述第一自对准间隔图案的第一宽度尺寸和所述第二自对准间隔图案的第二宽度尺寸均小于所述辅助线的辅助线宽度尺寸，在所述第二方向上相邻的所述第一自对准间隔图案之间的第一间隔尺寸小于等于所述辅助线宽度尺寸。

3.如权利要求2所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述第一自对准间隔图案的第一宽度尺寸介于20nm～50nm；所述第二自对准间隔图案的第二宽度尺寸介于25nm～60nm；形成在第二方向上相邻的所述第一自对准间隔图案上并且相互面对的所述第二自对准间隔图案之间的第二间隔尺寸介于10nm～40nm。

4.如权利要求1所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述第一自对准间隔图案的形成方法包括：

形成自对准连续图案在所述辅助线的第一长度向侧壁上，所述自对准连续图案在所述辅助线的侧壁上沿着所述第一方向连续延伸；以及，

利用所述光罩对所述自对准连续图案执行光刻工艺，所述光罩具有多个截断窗口，用以截断所述自对准连续图案，以形成多条相互分断的所述第一自对准间隔图案，多条所述第一自对准间隔图案沿着所述第一方向间隔排布。

5.如权利要求4所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述第二自对准间隔图案的形成方法包括：

形成自对准环绕图案在所述第一自对准间隔图案的侧壁上，所述自对准环绕图案围绕所述第一自对准间隔图案，以使所述自对准环绕图案中位于所述第一自对准间隔图案的两个第二长度向侧壁上的部分在所述第一自对准间隔图案的端部相互连接；以及，

利用所述光罩对所述自对准环绕图案执行光刻工艺，并利用所述光罩的所述截断窗口，去除所述自对准环绕图案中位于所述第一自对准间隔图案端部的部分，以使所述自对准环绕图案中位于所述第一自对准间隔图案的两个第二长度向侧壁上的两个部分相互分断，以形成所述第二自对准间隔图案，其中对应同一条所述第一自对准间隔图案的两条所述第二自对准间隔图案成对设置。

6.如权利要求5所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，沿着所述第一方向排布在同一直线上且相邻所述第一自对准间隔图案之间的分段间隔尺寸大于2倍的所述自对准环绕图案的第二宽度尺寸，以使所述自对准环绕图案具有围绕所述第一自对准间隔图案的环状结构，每一所述第一自对准间隔图案对应一个所述环状结构，并且相邻的环状结构相互分隔。