[发明专利]集成电路的密封环结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811000801.2 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109427691B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 尼古拉斯·A·波洛莫夫;文生·J·麦加贺 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路的密封环结构及其形成方法，该密封环结构包括：限定该集成电路的一第一部分的一第一不连续密封壁，该第一密封壁形成一第一图案于一基板上，以及限定该集成电路的一第二部分的一第二不连续密封壁，该第二密封壁形成一第二图案于该基板上，且该第二部分至少部分地偏离该第一部分，其中，该第一密封壁的该第一图案与该第二密封壁的该第二图案互锁，使得该些图案交织而不相交，其中，一间隔形成于该些密封壁之间，该间隔生成通至该集成电路的一非线性路径，且其中，该密封环结构完全限定该集成电路。一种形成这种密封环结构的方法也被公开。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 密封 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的密封环结构，其特征在于，包括：一第一不连续密封壁，其限定该集成电路的一第一部分，该第一密封壁形成一第一图案于一基板上；以及一第二不连续密封壁，其限定该集成电路的一第二部分，该第二密封壁形成一第二图案于该基板上，且该第二部分至少部分偏离该第一部分；其中，该第一密封壁的该第一图案与该第二密封壁的该第二图案互锁，使得该些图案交织而不相交；其中，一间隔形成于该些密封壁之间，该间隔生成通至该集成电路的一非线性路径；以及其中，该密封环结构完全限定该集成电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司，未经格芯(美国)集成电路科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811000801.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MOS管组件以及车载充电器
- 下一篇：封装薄膜及其应用
