[发明专利]集成电路的密封环结构及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路的密封环结构，其特征在于，包括：

一第一不连续密封壁，其限定该集成电路的一第一部分，该第一不连续密封壁形成一第一图案于一基板上；以及

一第二不连续密封壁，其限定该集成电路的一第二部分，该第二不连续密封壁形成一第二图案于该基板上，且该第二部分至少部分偏离该第一部分；

其中，该第一不连续密封壁的该第一图案与该第二不连续密封壁的该第二图案互锁，使得该第一图案与该第二图案交织而不相交；

其中，一间隔形成于该第一不连续密封壁与该第二不连续密封壁之间，该间隔生成通至该集成电路的一非线性路径；以及

其中，该密封环结构完全限定该集成电路，且该第一图案与该第二图案为同心开放式螺旋。

2.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，该非线性路径的长度为150微米(μm)或更长。

3.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，该第一不连续密封壁与该第二不连续密封壁沿着该非线性路径衬有一脱水衬垫。

4.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，形成于该第一不连续密封壁与该第二不连续密封壁之间的该间隔包括在该第一不连续密封壁以及该第二不连续密封壁之间形成一连接的一个或多个氮化物阻挡壁。

5.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，该基板在位于该第一不连续密封壁与该第二不连续密封壁以及该非线性路径的一末端之间的至少一区域中被掺杂。

6.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，该基板在位于该第一不连续密封壁与该第二不连续密封壁之间并沿着该非线性路径的一区域中被掺杂。

7.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，一补充金属线形成在该非线性路径的一端或两端，该补充金属线具有等于或大于该非线性路径的一端的一开口的一宽度的一长度。

8.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，一气隙形成在该非线性路径的一端或两端，该气隙具有等于或大于该非线性路径的一端的一开口的一宽度的一长度。

9.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，该第一不连续密封壁以及该第二不连续密封壁中的至少一者接地。

10.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，该密封环结构还包括一个或多个基座保护环，其中，各该基座保护环包括形成于该基板的顶部上以及该第一不连续密封壁的该第一图案或该第二不连续密封壁的该第二图案的形状中的一金属段，该基板在该一个或多个基座保护环的位置被掺杂。

11.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，该同心开放式螺旋为相互交织，使得两个螺旋风顺时针旋转，或两个螺旋风逆时针旋转。

12.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，一给定密封壁包括一个或多个同心开放式螺旋。

13.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，该第一图案包括一拼图迷宫的一第一形状，且该第二图案包括该拼图迷宫的一第二形状，该第一形状与该第二形状彼此互补且不连接。

14.根据权利要求13所述的密封环结构，其特征在于，该非线性路径创建在该第一图案与该第二图案之间的一互补界面处。

15.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，该第一图案与该第二图案包括锯齿状图案。

16.根据权利要求15所述的密封环结构，其特征在于，该锯齿状图案为选自一方形齿形图案、一锯齿形图案、一箭形图案、一锚形图案、一拉链图案、一闪电图案、一钩形图案、以及一象尾图案所组群组中的至少一个所构成。