[发明专利]碳化硅MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810990494.0 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807504B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张金平;邹华;罗君轶;赵阳;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法，通过在指定区域做碳化硅深P注入，并于碳化硅深P掺杂区上方经沟槽刻蚀、淀积金属或多晶硅，所淀积的金属或多晶硅与碳化硅N‑外延直接接触，形成具有整流特性的肖特基接触或Si/SiC异质结接触，所述改进在对传统碳化硅UMOSFET基本性能有明显优化作用的同时，实现了多子整流器件的集成，极大地优化了器件第三象限工作性能的同时，还降低了器件栅漏电容，提升了器件开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于：包括自下而上依次设置的金属漏极(1)、碳化硅N+衬底(2)及碳化硅N‑外延层(3)；所述碳化硅N‑外延层(3)左上方具有第一源沟槽，第一源沟槽下方自上而下具有碳化硅P+掺杂区(5)以及碳化硅P型掺杂区(4)；所述碳化硅N‑外延层(3)右上方具有第二源沟槽，第二源沟槽下方自上而下具有碳化硅P+掺杂区(5)以及碳化硅P型掺杂区(4)；第一、第二源沟槽均填充形成肖特基接触金属(14)；所述碳化硅N‑外延层(3)上方具有栅沟槽，其深度浅于两个源沟槽，栅沟槽内部及表面具有栅极结构，所述栅极结构自下而上包括栅介质层(10)、多晶硅栅(11)以及栅极(12)，栅介质层(10)把多晶硅栅(11)和碳化硅体区隔离，多晶硅栅(11)上方通过栅极(12)引出；多晶硅栅(11)在栅沟槽内部，栅极(12)在栅沟槽表面；源沟槽与栅沟槽之间分别具有第一台面结构、第二台面结构，第一台面结构、第二台面结构均由碳化硅Pbase区(7)、碳化硅P+接触区(8)以及碳化硅N+源区(9)构成，其中，碳化硅P+接触区(8)和碳化硅N+源区(9)位于碳化硅Pbase区(7)上方，碳化硅P+接触区(8)与源沟槽接触、碳化硅N+源区(9)与栅沟槽接触，而碳化硅Pbase区(7)则同时与源沟槽、栅沟槽接触，且其深度浅于源沟槽和栅沟槽；源沟槽金属与碳化硅N‑外延层(3)在源沟槽侧壁底部直接接触形成具有整流特性的肖特基接触；器件表面由一层源极金属(6)覆盖，源极金属(6)与栅极(12)通过硼磷硅玻璃BPSG(13)相互隔离。
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