[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供一衬底，所述衬底表面具有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向相互堆叠的绝缘层和牺牲层；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；在所述沟道孔的内壁表面形成一材料层，所述材料层的厚度沿沟道孔底部至沟道孔顶部方向逐渐增大；在所述材料层表面形成一亲水性膜；对所述材料层进行湿法刻蚀，去除所述沟道孔底部的材料层，暴露出沟道孔底部的衬底表面，保留所述沟道孔侧壁表面部分厚度的材料层。所述半导体结构在后续工艺中能够保护沟道孔侧壁不受损伤。