[发明专利]一种沟槽型三极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201810966197.2 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109087942A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 盛世瑶兰（深圳）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区桂*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种沟槽型三极管及其制作方法，所述制作方法包括：提供第一导电类型的衬底并在该衬底的上表面生长第一导电类型的第一外延层；在第一外延层内形成沟槽；在沟槽的底部和侧壁及第一外延层的上表面生长第二导电类型的第二外延层；在第二外延层的表面生长掺杂第一导电类型杂质的多晶硅层；回刻蚀多晶硅层，保留填充在沟槽内的多晶硅层；对沟槽外的第二外延层进行掺杂并形成第二导电类型的高掺杂区；生长绝缘层；快速退火处理，激发所述多晶硅层中的所述第一导电类型杂质扩散至所述多晶硅层外围的第二外延层的表层中并形成第一导电类型的扩散区。本发明所述沟槽型三极管具有较大的发射极面积，更高的发射效率和更佳的电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 第一导电类型 多晶硅层 沟槽型 三极管 导电类型 上表面 衬底 生长 绝缘层 掺杂 制作 表面生长 电流能力 发射效率 高掺杂区 快速退火 杂质扩散 发射极 回刻蚀 扩散区 侧壁 填充 外围 保留 激发 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型三极管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底的上表面的第一导电类型的第一外延层；位于所述第一外延层内的沟槽；位于所述沟槽的底部和侧壁的第二导电类型的掺杂区；形成于所述沟槽外且连接所述掺杂区的第二导电类型的高掺杂区；形成于所述掺杂区的表面的第一导电类型的扩散区；填充在所述沟槽内的多晶硅层；覆盖在所述高掺杂区的上表面及所述多晶硅层的上表面的绝缘层；连接所述高掺杂区的基极；连接所述多晶硅层的发射极；连接所述衬底的下表面的集电极。
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