[发明专利]半导体结构、存储器结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体结构、存储器结构及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一半导体衬底；2）于半导体衬底内形成字线；3）于半导体衬底上形成位线；4）于半导体衬底上形成填充介质层；5）于填充介质层上形成图形化掩膜层；6）于图形化掩膜层上形成侧墙氧化层；7）于步骤6）得到的结构上形成图形化刻蚀阻挡层；8）于填充介质层内形成第一隔离通孔及第二隔离通孔；9）去除第一图形单元、第二图形单元及位于第二图形单元下方的侧墙氧化层；10）于第一隔离通孔内形成第一绝缘隔离结构，于第二隔离通孔内形成第二绝缘隔离结构；11）去除填充介质层，并形成导电栓塞。本发明实现导电栓塞可以降低导电栓塞与有源区的接触电阻。

主权项

1.一种存储器结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底内形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构在所述半导体衬底内隔离出若干个间隔排布的有源区；2)于所述半导体衬底内形成若干个平行间隔排布的字线，所述字线的延伸方向与所述有源区的延伸方向相交在小于90度角度，贯穿相同的所述有源区的所述字线包括偏向所述有源区一侧的第一字线和偏向所述有源区另一侧的第二字线；沿所述字线排布的方向，贯穿相同的所述有源区的所述第一字线和所述第二字线之间具有第一间距，贯穿不相同且相邻的所述有源区的所述第一字线和所述第二字线之间具有第二间距，其中，所述第一间距小于所述第二间距；3)于所述半导体衬底上形成若干个间隔排布的位线；4)于所述半导体衬底上形成填充介质层，所述填充介质层填满相邻所述位线之间的间隙；5)于所述填充介质层上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层包括若干个平行间隔排布的第一图形单元，所述第一图形单元的延伸方向与所述字线的延伸方向相同，所述第一图形单元的正投影覆盖所述第一字线及所述有源区一侧；6)于所述图形化掩膜层上形成侧墙氧化层，所述侧墙氧化层包括覆盖于所述第一图形单元顶部的第一覆盖部、覆盖于相邻所述第一图形单元之间的第二覆盖部、覆盖于所述第一图形单元一侧的第一侧墙部及覆盖于所述第一图形单元另一侧的第二侧墙部，所述第一侧墙部的延伸方向及所述第二侧墙部的延伸方向均与所述字线的延伸方向相同，且所述第一侧墙部的正投影位于相邻所述有源区之间，所述第二侧墙部的正投影位于贯穿相同所述有源区的所述第一字线和所述第二字线之间；所述第二覆盖部的上表面低于所述第一覆盖部的上表面，以覆盖于不同所述第一图形单元侧壁的所述第一侧墙部及所述第二侧墙部之间形成凹槽；7)于步骤6)得到的结构上形成图形化刻蚀阻挡层，所述图形化刻蚀阻挡层包括若干个平行间隔排布的第二图形单元，所述第二图形单元位于所述凹槽内，且所述第二图形单元的延伸方向与所述凹槽的延伸方向相同；8)以所述第一图形单元及所述第二图形单元作为刻蚀阻挡层刻蚀所述侧墙氧化层及所述填充介质层，以去除所述第一覆盖部、所述第一侧墙部及所述第二侧墙部，并于所述填充介质层内形成第一隔离通孔及第二隔离通孔；其中，所述第一隔离通孔的延伸方向与所述字线的延伸方向相同，所述第一隔离通孔对应所述第一侧墙部的正投影，于相邻所述位线之间形成所述第一隔离通孔；所述第二隔离通孔的延伸方向与所述字线的延伸方向相同，所述第二隔离通孔对应所述第二侧墙部的正投影，于相邻所述位线之间形成所述第二隔离通孔；9)去除所述第一图形单元、所述第二图形单元及位于所述第二图形单元下方的所述侧墙氧化层；10)于所述第一隔离通孔内形成第一绝缘隔离结构，并于所述第二隔离通孔内形成第二绝缘隔离结构；及11)去除所述填充介质层，并于所述第一绝缘隔离结构与所述第二绝缘隔离结构之间及所述位线之间形成导电栓塞，所述导电栓塞与所述有源区相连接。