[发明专利]一种多芯片封装工艺

摘要

本发明提供了一种多芯片封装工艺。它解决了现有多芯片封装件没有相应的封装工艺，无法批量生产，生产速度慢等技术问题。本多芯片封装工艺，包括如下步骤：a、减薄；b、划片；c、一次粘贴；d、一次固化；e、二次粘贴；f、二次固化；g、压焊；h、塑封；i、冲塑；j、去溢料；k、电镀；l、打印；m、切筋成型；n、检测。本发明具有生产快速的优点。

主权项

1.一种多芯片封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：a、减薄：通过机械研磨的方式对晶圆进行减薄，晶圆减薄最终厚度为250‑280μm；b、划片：通过划片机对减薄后的晶圆进行划片；c、一次粘贴：通过装片机将第一层单个芯片粘贴到引线框的底座上，使用的胶水为导电胶；d、一次固化：将一次粘贴后的半成品放入到固化设备中，使导电胶固化；e、二次粘贴：通过装片机将第二层多个芯片分别粘贴到引线框的支架上，使用的胶水为绝缘胶；f、二次固化：将二次粘贴后的半成品放入到固化设备中，使绝缘胶固化；g、压焊：通过焊线机对第一层芯片和第二层芯片进行焊线；h、塑封：通过配制装置对塑封材料进行配制，通过塑封机对压焊后的半成品进行塑封；i、冲塑；j、去溢料；通过去溢料设备将冲塑后的半成品上的残胶去除；k、电镀：通过电镀装置对去溢料后的半成品的引脚进行电镀；l、打印；通过打标机将产品的信息打印到电镀后的半成品上；m、切筋成型：通过剪切机将电镀后的半成品按规定尺寸进行切开，制得成品；n、检测：通过测试机对成品进行电性检测。