[发明专利]一种多芯片封装工艺

说明书

本发明提供了一种多芯片封装工艺。它解决了现有多芯片封装件没有相应的封装工艺，无法批量生产，生产速度慢等技术问题。本多芯片封装工艺，包括如下步骤：a、减薄；b、划片；c、一次粘贴；d、一次固化；e、二次粘贴；f、二次固化；g、压焊；h、塑封；i、冲塑；j、去溢料；k、电镀；l、打印；m、切筋成型；n、检测。本发明具有生产快速的优点。

技术领域

本发明属于芯片封装技术领域，涉及一种封装工艺，特别是一种多芯片封装工艺。

背景技术

数十年来，集成电路封装技术一直追随芯片的发展而发展, 从单芯片封装向多芯片封装拓展，封装密度不断提高，有力地推动电子信息产品小型化、功能化，出于对体积、处理速度和电性特性等各方面的综合考虑的前提下，系统级封装的发展受到广泛地关注与重视。多芯片陈列封装，因其具有高密度整合、多功能等诸多显著的优势，而成为通讯类半导体器件封装技术的主流，特别适合于闪灯控制、移动通讯和移动多媒体等领域。

经检索，如中国专利文献公开了一种多芯片封装件【申请号：201710945679.5；公开号：CN 107978581A】。这种多芯片封装件，所述多芯片封装件包括：封装基底，包括第一基底焊盘；第一组半导体芯片，堆叠在封装基底上，第一组中的半导体芯片中的每个半导体芯片包括至少一个结合焊盘；第一螺柱凸部，布置在除了第一组中的最下侧半导体芯片之外的第一组半导体芯片的结合焊盘上；第一导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的至少一个结合焊盘向下地延伸，并且连接到第一基底焊盘；第二导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的至少一个结合焊盘向上地延伸，并且顺序地连接到第一螺柱凸部。

该专利中公开的多芯片封装件虽然可减少生产成本，但是，该多芯片封装件没有相应的封装工艺，无法批量生产，生产速度慢，因此，设计出一种多芯片封装工艺是很有必要的。

发明内容

本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种多芯片封装工艺,该封装工艺具有生产快速的特点。

本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种多芯片封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：a、减薄：通过机械研磨的方式对晶圆进行减薄，晶圆减薄最终厚度为250-280µm；b、划片：通过划片机对减薄后的晶圆进行划片；c、一次粘贴：通过装片机将第一层单个芯片粘贴到引线框的底座上，使用的胶水为导电胶；d、一次固化：将一次粘贴后的半成品放入到固化设备中，使导电胶固化；e、二次粘贴：通过装片机将第二层多个芯片分别粘贴到引线框的支架上，使用的胶水为绝缘胶；f、二次固化：将二次粘贴后的半成品放入到固化设备中，使绝缘胶固化；g、压焊：通过焊线机对第一层芯片和第二层芯片进行焊线；h、塑封：通过配制装置对塑封材料进行配制，通过塑封机对压焊后的半成品进行塑封；i、冲塑；j、去溢料；通过去溢料设备将冲塑后的半成品上的残胶去除；k、电镀：通过电镀装置对去溢料后的半成品的引脚进行电镀；l、打印；通过打标机将产品的信息打印到电镀后的半成品上；m、切筋成型：通过剪切机将电镀后的半成品按规定尺寸进行切开，制得成品；n、检测：通过测试机对成品进行电性检测。

所述步骤a中的机械研磨分为两个阶段：前段粗磨和后段细磨。

所述前段粗磨使用颗粒直径为30-40µm的金刚砂轮，后段细磨使用颗粒直径为4-6µm的金刚砂轮。

所述步骤b中的划片机采用DAD651划片机，切割速度20-25mm/s。

所述步骤d中的一次固化条件为：充氮保护，固化温度为190-210℃，固化时间为40-80min。

所述步骤f中的二次固化条件为：充氮保护，固化温度为140-160℃，固化时间为40-80min。

所述步骤g中的压焊采用低弧度压焊工艺, 高低弧正反打线方式，焊线材料选用金线，焊线温度为180-210℃。

所述步骤h中的塑封为灌胶式塑封。