[发明专利]一种多芯片封装工艺

权利要求书

1.一种多芯片封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：a、减薄：通过机械研磨的方式对晶圆进行减薄，晶圆减薄最终厚度为250-280µm；b、划片：通过划片机对减薄后的晶圆进行划片；c、一次粘贴：通过装片机将第一层单个芯片粘贴到引线框的底座上，使用的胶水为导电胶；d、一次固化：将一次粘贴后的半成品放入到固化设备中，使导电胶固化；e、二次粘贴：通过装片机将第二层多个芯片分别粘贴到引线框的支架上，使用的胶水为绝缘胶；f、二次固化：将二次粘贴后的半成品放入到固化设备中，使绝缘胶固化；g、压焊：通过焊线机对第一层芯片和第二层芯片进行焊线；h、塑封：通过配制装置对塑封材料进行配制，通过塑封机对压焊后的半成品进行塑封；i、冲塑；j、去溢料；通过去溢料设备将冲塑后的半成品上的残胶去除；k、电镀：通过电镀装置对去溢料后的半成品的引脚进行电镀；l、打印；通过打标机将产品的信息打印到电镀后的半成品上；m、切筋成型：通过剪切机将电镀后的半成品按规定尺寸进行切开，制得成品；n、检测：通过测试机对成品进行电性检测；

所述配制装置包括底座，底座上固定有配制箱，配制箱上部竖直设置有主轴，主轴上端与一能带动其转动的动力结构相连，主轴下端伸入到配制箱内与转盘相连，转盘上固定有若干搅拌叶片，主轴上端还固定有安装盘，安装盘上固定有若干用于放置原料的储料斗，且储料斗呈均匀分布，储料斗上端具有输入口，储料斗下端具有输出口，输出口处设置有电磁阀三，输出口还和进料管上端相连通，进料管下端位于配制箱内，进料管中部通过固定杆和转盘相连，配制箱下部连接有出料管，出料管上设置有电磁阀四；所述底座上还设置有能向储料斗内补充原料的补料机构，补料机构包括底板、补料管、伸缩管一、伸缩管二和输送泵，底板固定在底座上，底板上固定有若干放置架，放置架上具有能将料袋袋口定位住的挂钩，补料管通过连接架倾斜固定在底座上，且补料管位于底板与配置箱之间，补料管下端和伸缩管一的上端相连通，伸缩管一的下端和加重环相连，补料管上端和伸缩管二的上端相连通，伸缩管二的下端和升降环相连，且升降环能位于储料斗的正上方，升降环还与一能带动其上下移动的移动结构相连，输送泵设置在补料管上；所述配制箱内还设置有导料机构，导料机构包括若干导料管，导料管一端通过弹性管和进料管下端相连通，导料管另一端为导料端，且导料管呈水平布置，导料管侧部还和导杆下端相连，导杆上端和限位块相连，限位块上连接有驱动滚轮，导杆中部套设有导套，导套通过支撑杆和转盘相连，导杆上还套设有弹簧，弹簧上端和限位块相连，弹簧下端和导套相连，配制箱上部还具有呈不规则波浪形的导向环，导料环位于转盘上方，且驱动滚轮与导向环相抵靠。

2.根据权利要求1所述的多芯片封装工艺，其特征在于，所述步骤a中的机械研磨分为两个阶段：前段粗磨和后段细磨。

3.根据权利要求2所述的多芯片封装工艺，其特征在于，所述前段粗磨使用颗粒直径为30-40µm的金刚砂轮，后段细磨使用颗粒直径为4-6µm的金刚砂轮。

4.根据权利要求1所述的多芯片封装工艺，其特征在于，所述步骤b中的划片机采用DAD651划片机，切割速度20-25mm/s。

5.根据权利要求1所述的多芯片封装工艺，其特征在于，所述步骤d中的一次固化条件为：充氮保护，固化温度为190-210℃，固化时间为40-80min。

6.根据权利要求1所述的多芯片封装工艺，其特征在于，所述步骤f中的二次固化条件为：充氮保护，固化温度为140-160℃，固化时间为40-80min。

7.根据权利要求1所述的多芯片封装工艺，其特征在于，所述步骤g中的压焊采用低弧度压焊工艺, 高低弧正反打线方式，焊线材料选用金线，焊线温度为180-210℃。

8.根据权利要求1所述的多芯片封装工艺，其特征在于，所述步骤h中的塑封为灌胶式塑封。

9.根据权利要求1所述的多芯片封装工艺，其特征在于，所述步骤k中的先电镀一层6-12µm的铜，再电镀一层12-16µm的锡。