[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造方法包括：提供包括多个辐射感测区的衬底；在衬底上形成包括多个中间介电部和将相邻的中间介电部隔开的第一金属栅格的第一中间层，每个中间介电部与多个辐射感测区中的至少一个对应；在第一中间层上形成第二中间层；图案化处理以保留多个中间介电部中的至少一些作为第一介电部并且从第二中间层得到第二介电部，各个第二介电部分别与各个第一介电部对应，第一金属栅格的至少一部分被露出，以及第一介电部和与其对应的第二介电部形成第一滤色元件；形成覆盖第一滤色元件和第一金属栅格的外部表面的金属层；以及对金属层图案化处理以形成覆盖第一滤色元件和第一金属栅格的外部侧表面的第二金属栅格。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括多个辐射感测区；在所述衬底上形成第一中间层，所述第一中间层包括多个中间介电部和将相邻的中间介电部隔开的第一金属栅格，其中每个中间介电部与所述多个辐射感测区中的至少一个辐射感测区对应；在所述第一中间层上形成第二中间层；对所述多个中间介电部和所述第二中间层进行图案化处理，以保留所述多个第一介电部中的至少一些中间介电部作为第一介电部并且从所述第二中间层得到第二介电部，其中各个第二介电部分别与各个第一介电部对应，所述第一金属栅格的至少一部分被露出，以及第一介电部和与其对应的第二介电部形成第一滤色元件；形成金属层，所述金属层覆盖所述第一滤色元件和所述第一金属栅格的外部表面；以及对所述金属层进行图案化处理以形成第二金属栅格，所述第二金属栅格覆盖所述第一滤色元件和所述第一金属栅格的外部侧表面。