[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括多个辐射感测区；

在所述衬底上形成第一中间层，所述第一中间层包括多个中间介电部和将相邻的中间介电部隔开的第一金属栅格，其中每个中间介电部与所述多个辐射感测区中的至少一个辐射感测区对应；

在所述第一中间层上形成第二中间层；

对所述多个中间介电部和所述第二中间层进行图案化处理，以保留所述多个第一介电部中的至少一些中间介电部作为第一介电部并且从所述第二中间层得到第二介电部，其中各个第二介电部分别与各个第一介电部对应，所述第一金属栅格的至少一部分被露出，以及第一介电部和与其对应的第二介电部形成第一滤色元件；

形成金属层，所述金属层覆盖所述第一滤色元件和所述第一金属栅格的外部表面；以及

对所述金属层进行图案化处理以形成第二金属栅格，所述第二金属栅格覆盖所述第一滤色元件和所述第一金属栅格的外部侧表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述第一滤色元件中，材料的折射率在从第一介电部到第二介电部的方向上逐渐减小。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

形成所述第一介电部的材料的折射率大于形成所述第二介电部的材料的折射率。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第一滤色元件是透明的。

5.根据权利要1所述的方法，其特征在于：

所述金属层通过沉积处理形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成所述第二金属栅格后，形成第二滤色元件，使得每个第二滤色元件分别与所述多个辐射感测区中的至少一个不与所述第一滤色元件对应的辐射感测区对应。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在提供所述衬底和形成所述第一中间层之间，形成缓冲介电层，所述缓冲介电层夹在所述衬底和所述第一中间层之间。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：

形成所述缓冲介电层的材料的折射率大于形成所述第一滤色元件的材料的折射率。

9.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括多个辐射感测区；

在所述衬底上形成中间介电层；

对所述中间介电层进行图案化处理以形成第一滤色元件，其中每个第一滤色元件分别与所述多个辐射感测区中的至少一个辐射感测区对应；

形成金属层，所述金属层覆盖所述第一滤色元件的外部表面；以及

对所述金属层进行图案化处理以形成金属栅格，所述金属栅格覆盖所述第一滤色元件的外部侧表面。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：

在所述第一滤色元件中，材料的折射率沿着远离所述衬底的方向逐渐减小。