[发明专利]半导体工艺方法在审
| 申请号： | 201810890248.8 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110277350A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 余德伟;陈建豪;彭治棠;王舒谊;陈哲明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 此处所披露的实施例总体而言涉及使用循环的沉积‑蚀刻工艺在高深宽比的沟槽中形成栅极层。在一实施例中，提供一种半导体工艺方法。此方法包含执行第一沉积工艺以在基板上的部件的底面上以及沿着此部件的多个侧壁表面形成顺应性薄膜。此方法包含执行蚀刻工艺以移除此顺应性薄膜的一部分。此方法包含重复此第一沉积工艺及此蚀刻工艺以此顺应性薄膜填充此部件。此方法包含暴露此顺应性薄膜至紫外光。 | ||
| 搜索关键词： | 顺应性 薄膜 蚀刻工艺 沉积 半导体工艺 侧壁表面 高深宽比 紫外光 栅极层 基板 移除 填充 暴露 重复 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺方法，包括：执行一第一沉积工艺以在一基板上的一部件的底面上以及沿着该部件的多个侧壁表面形成一顺应性薄膜；执行一蚀刻工艺以移除该顺应性薄膜的一部分；重复该第一沉积工艺及该蚀刻工艺以该顺应性薄膜填充该部件；以及暴露该顺应性薄膜至紫外光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
