[发明专利]半导体发光器件在审
申请号: | 201810879444.5 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN108807635A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 全水根;朴恩铉;金勈德 | 申请(专利权)人: | 世迈克琉明有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/50;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 半导体发光器件。本发明提供了一种半导体发光器件,包括:多个半导体层,包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于第一半导体层和第二半导体层之间并且经由电子空穴复合产生光的有源层;不导电反射膜,设置在多个半导体层上,用于从有源层向第一半导体层反射光;第一电极和第二电极,设置在不导电反射膜上并且与该不导电反射膜接触,并且与多个半导体层电连接;至少一个指状电极,其在不导电反射膜和多个半导体层之间延伸,至少一个指状电极电连接到第一电极和第二电极中的一方;以及至少一个电连接件,至少一个电连接件将至少一个指状电极连接到第二电极并且穿过不导电反射膜。 | ||
搜索关键词: | 半导体层 不导电 反射膜 半导体发光器件 导电性 第二电极 指状电极 第一电极 电连接件 源层 电子空穴复合 半导体层电 电连接 反射光 穿过 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光器件,该半导体发光器件包括:多个半导体层,所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且经由电子空穴复合产生光的有源层;不导电反射膜,所述不导电反射膜设置在所述多个半导体层上,用于从所述有源层向所述第一半导体层反射光,其中,所述不导电反射膜包括分布式布拉格反射器;第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极设置在所述不导电反射膜上并且与该不导电反射膜接触,并且与所述多个半导体层电连接,其中,设置所述第一电极的侧具有增加的高度,以使得所述第一电极的侧与所述第二电极的侧之间的高度差减少;至少一个指状电极,所述至少一个指状电极在所述不导电反射膜和所述多个半导体层之间延伸,所述至少一个指状电极电连接到所述第一电极和所述第二电极中的一方;以及至少一个电连接件,所述至少一个电连接件将所述至少一个指状电极连接到所述第二电极并且穿过所述不导电反射膜,其中,所述至少一个指状电极在所述第二半导体层上方延伸,并且其中,所述至少一个指状电极在所述第一电极的不与所述至少一个指状电极电连接的下方延伸。
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