[发明专利]一种半导体设备及清洗晶圆的方法在审
| 申请号： | 201810877128.4 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109037109A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 沈新林;王海宽;郭松辉;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体设备及清洗晶圆的方法，其中，半导体设备包括吸附盘、缓冲垫及动力系统，采用晶圆清洗设备进行晶圆清洗，通过位于吸附盘与晶圆之间的具有较低弹性模量系数的缓冲垫，降低晶圆划伤及破碎现象、降低晶圆与吸附盘的接触面积及有效降低缓冲垫在晶圆进行破真空时产生弹性形变的概率，从而降低破真空的难度；通过动力系统中的气体部，增强释放晶圆的压力，降低破真空的难度；通过动力系统中的液体部，增强晶圆的润湿性，从而减小晶圆的摩擦阻力，降低破真空的难度；有效降低晶圆破真空时，破片的风险以及消除机台频繁报警的问题，提高WPH。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 破真空 半导体设备 动力系统 缓冲垫 吸附盘 清洗 晶圆清洗设备 机台 低弹性模量 弹性形变 晶圆清洗 摩擦阻力 润湿性 液体部 划伤 减小 破片 破碎 报警 释放 概率 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：吸附盘，用于吸附晶圆；缓冲垫，所述缓冲垫位于所述吸附盘与所述晶圆之间，且所述缓冲垫与所述吸附盘及所述晶圆相接触；所述晶圆的边缘区域凸出于所述缓冲垫；动力系统，包括气体部及液体部，所述气体部及液体部与所述吸附盘相连接，通过所述气体部及液体部的交替释放所述晶圆。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810877128.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带缺陷检测功能的料饼上料装置
- 下一篇：可自动上料的LED扩晶机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
