[发明专利]肖特基二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201810876807.X | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109037353A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;林信南;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括：硅外延片，形成多个沟槽；氧化层；多晶硅层，填充所述多个沟槽的除所述氧化层之外的空间；介质层；阳极金属层，延伸至肖特基接触孔内以覆盖所述肖特基接触孔的底部，所述肖特基接触孔贯穿所述介质层；以及阴极金属层；所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影以及所述介质层在所述硅外延片上的投影覆盖至少一个所述沟槽；所述硅外延片内部还形成有至少一个沟槽缓冲部，所述至少一个沟槽缓冲部与被所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影覆盖的所述沟槽一一对应设置，每一个所述沟槽缓冲部包围与其对应的所述沟槽的下部。本发明实施例的肖特基二极管，可以优化耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基接触 硅外延片 肖特基二极管 缓冲部 介质层 投影覆盖 氧化层 一一对应设置 阳极金属层 阴极金属层 多晶硅层 耐压 填充 制作 投影 包围 贯穿 延伸 覆盖 优化 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：硅外延片，形成多个沟槽，其中，所述多个沟槽的开口朝向所述硅外延片的上表面；氧化层，覆盖所述多个沟槽的内表面；多晶硅层，填充所述多个沟槽的除所述氧化层之外的空间；介质层，设置于所述硅外延片的上表面；阳极金属层，设置于所述介质层上且延伸至肖特基接触孔内以覆盖所述肖特基接触孔的底部，其中，所述肖特基接触孔贯穿所述介质层；以及阴极金属层，设置于所述硅外延片的下表面；其中，所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影以及所述介质层在所述硅外延片上的投影覆盖至少一个所述沟槽；所述硅外延片内部还形成有至少一个沟槽缓冲部，所述至少一个沟槽缓冲部与被所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影覆盖的所述沟槽一一对应设置，每一个所述沟槽缓冲部包围与其对应的所述沟槽的下部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市晶相技术有限公司，未经深圳市晶相技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810876807.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
